LP339N/NOPB พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ LP339N/NOPB เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ LP339N/NOPB ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ LP339N/NOPB ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
LP339N/NOPB
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- LP339N/NOPB
- ผู้ผลิต:
- TI
- ลักษณะ:
- IC DIFF COMPARATOR QUAD 14-DIP
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 47646 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- LP339N/NOPB.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - จ่าย, เดี่ยว / คู่ (±): | 2 V ~ 36 V, ±1 V ~ 18 V |
| แรงดันไฟฟ้าอินพุต - ออฟเซ็ท (สูงสุด): | 5mV @ 5V |
| ชนิด: | General Purpose |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 14-PDIP |
| ชุด: | - |
| ล่าช้าในการกระจาย (สูงสุด): | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
| ประเภทขาออก: | CMOS, MOS, Open-Collector |
| ชื่ออื่น: | 296-39054-5 LP339N/NOPB-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | 0°C ~ 70°C |
| จำนวนขององค์ประกอบ: | 4 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 8 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| hysteresis: | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Comparator General Purpose CMOS, MOS, Open-Collector 14-PDIP |
| ปัจจุบัน - Quiescent (สูงสุด): | 100µA |
| ปัจจุบัน - เอาท์พุท (ประเภท): | 30mA @ 5V |
| ปัจจุบัน - อินพุตอคติ (สูงสุด): | 0.025µA @ 5V |
| CMRR, PSRR (ประเภท): | - |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | LP339 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ LP339N/NOPB
ข่าว Latest
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร