LNR1V684MSEN พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ LNR1V684MSEN เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ LNR1V684MSEN ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ LNR1V684MSEN ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
LNR1V684MSEN
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- LNR1V684MSEN
- ผู้ผลิต:
- Nichicon
- ลักษณะ:
- CAP ALUM 680000UF 20% 35V SCREW
- ปริมาณสต็อค:
- 31816 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- LNR1V684MSEN.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม: | 35V |
| ความอดทน: | ±20% |
| พื้นผิวขนาดที่ดินภูเขา: | - |
| ขนาด / มิติ: | 3.543" Dia (90.00mm) |
| ชุด: | LNR |
| คลื่นกระแสไฟตก @ ความถี่ต่ำ: | 35.2A @ 120Hz |
| กระแส Ripple @ ความถี่สูง: | 40.48A @ 10kHz |
| ความนิยม: | - |
| โพลาไรซ์: | Polar |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | Radial, Can - Screw Terminals |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Chassis Mount |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 29 Weeks |
| อายุการใช้งาน @ ชั่วคราว: | 5000 Hrs @ 85°C |
| เว้นพื้นที่ตัวนำ: | 1.252" (31.80mm) |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 8.780" (223.00mm) |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 680000µF 35V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 5000 Hrs @ 85°C |
| ปริมาตร: | 680000µF |
| การประยุกต์ใช้งาน: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ LNR1V684MSEN
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
LNR2A154MSEB | Nichicon | CAP ALUM 150000UF 20% 100V SCREW | การสอบสวน |
 |
LNR2A154MSE | Nichicon | CAP ALUM 150000UF 20% 100V SCREW | การสอบสวน |
 |
LNR2A153MSE | Nichicon | CAP ALUM 15000UF 20% 100V SCREW | การสอบสวน |
|
LNR1V473MSEN | Nichicon | CAP ALUM 47000UF 20% 35V SCREW | การสอบสวน |
|
LNR2A153MSEB | Nichicon | CAP ALUM 15000UF 20% 100V SCREW | การสอบสวน |
 |
LNR2A104MSE | Nichicon | CAP ALUM 100000UF 20% 100V SCREW | การสอบสวน |
|
LNR2A153MSEN | Nichicon | CAP ALUM 15000UF 20% 100V SCREW | การสอบสวน |
|
LNR1V684MSEB | Nichicon | CAP ALUM 680000UF 20% 35V SCREW | การสอบสวน |
|
LNR1V684MSE | Nichicon | CAP ALUM 680000UF 20% 35V SCREW | การสอบสวน |
|
LNR2A104MSEN | Nichicon | CAP ALUM 100000UF 20% 100V SCREW | การสอบสวน |
|
LNR1V474MSEN | Nichicon | CAP ALUM 470000UF 20% 35V SCREW | การสอบสวน |
 |
LNR2A103MSE | Nichicon | CAP ALUM 10000UF 20% 100V SCREW | การสอบสวน |
|
LNR1V474MSEB | Nichicon | CAP ALUM 470000UF 20% 35V SCREW | การสอบสวน |
|
LNR2A104MSEB | Nichicon | CAP ALUM 100000UF 20% 100V SCREW | การสอบสวน |
|
LNR1V474MSE | Nichicon | CAP ALUM 470000UF 20% 35V SCREW | การสอบสวน |
|
LNR1V473MSE | Nichicon | CAP ALUM 47000UF 20% 35V SCREW | การสอบสวน |
|
LNR2A103MSEN | Nichicon | CAP ALUM 10000UF 20% 100V SCREW | การสอบสวน |
|
LNR1V683MSE | Nichicon | CAP ALUM 68000UF 20% 35V SCREW | การสอบสวน |
|
LNR1V683MSEB | Nichicon | CAP ALUM 68000UF 20% 35V SCREW | การสอบสวน |
|
LNR1V683MSEN | Nichicon | CAP ALUM 68000UF 20% 35V SCREW | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่