LM3S308-IQN25-C2T พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ LM3S308-IQN25-C2T เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ LM3S308-IQN25-C2T ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ LM3S308-IQN25-C2T ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
LM3S308-IQN25-C2T
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- LM3S308-IQN25-C2T
- ผู้ผลิต:
- TI
- ลักษณะ:
- IC MCU 32BIT 16KB FLASH 48LQFP
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 35391 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- LM3S308-IQN25-C2T.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน (Vcc / Vdd): | 3 V ~ 3.6 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 48-LQFP (7x7) |
| ความเร็ว: | 25MHz |
| ชุด: | Stellaris® ARM® Cortex®-M3S 300 |
| RAM ขนาด: | 4K x 8 |
| ประเภทหน่วยความจำโปรแกรม: | FLASH |
| ขนาดหน่วยความจำโปรแกรม: | 16KB (16K x 8) |
| อุปกรณ์ต่อพ่วง: | Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 48-LQFP |
| ประเภท oscillator: | Internal |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| จำนวน I / O: | 28 |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 3 (168 Hours) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ขนาด EEPROM: | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | ARM® Cortex®-M3 Stellaris® ARM® Cortex®-M3S 300 Microcontroller IC 32-Bit 25MHz 16KB (16K x 8) FLASH 48-LQFP (7x7) |
| แปลงข้อมูล: | A/D 8x10b |
| ขนาดหลัก: | 32-Bit |
| หน่วยประมวลผลหลัก: | ARM® Cortex®-M3 |
| การเชื่อมต่อ: | I²C, Microwire, SPI, SSI, UART/USART |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | LM3S308 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ LM3S308-IQN25-C2T
ข่าว Latest
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร