LGJ10145TS-152MR22-H พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ LGJ10145TS-152MR22-H เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ LGJ10145TS-152MR22-H ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ LGJ10145TS-152MR22-H ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
LGJ10145TS-152MR22-H
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- LGJ10145TS-152MR22-H
- ผู้ผลิต:
- TDK Corporation
- ลักษณะ:
- FIXED IND 1.5MH 260MA 3.4 OHM
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 34228 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- LGJ10145TS-152MR22-H.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| ชนิด: | Wirewound |
| ความอดทน: | ±20% |
| ขนาด / มิติ: | 0.398" L x 0.398" W (10.10mm x 10.10mm) |
| การป้องกัน: | Shielded |
| ชุด: | LGJ |
| ความนิยม: | AEC-Q200 |
| Q @ ความถี่: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 2-SMD |
| ชื่ออื่น: | 445-15012-2 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 125°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| วัสดุ - คอร์: | Ferrite |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 10 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ความถี่เหนี่ยวนำ - การทดสอบ: | 1kHz |
| การเหนี่ยวนำ: | 1.5mH |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.177" (4.50mm) |
| ความถี่ - พ้องในตัวเอง: | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 1.5mH Shielded Wirewound Inductor 260mA 3.4 Ohm 2-SMD |
| ทนทานกระแสไฟตรง (DCR): | 3.4 Ohm |
| พิกัดกระแส: | 260mA |
| ปัจจุบัน - อิ่มตัว: | 220mA |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ LGJ10145TS-152MR22-H
ข่าว Latest
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร