L99SD01TR-E พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ L99SD01TR-E เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ L99SD01TR-E ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ L99SD01TR-E ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
L99SD01TR-E
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- L99SD01TR-E
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
- ลักษณะ:
- IC SOLENOID DRIVER POWERSSO36
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 47512 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- L99SD01TR-E.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 6 V ~ 28 V |
| แรงดันไฟฟ้า - โหลด: | 45V (Max) |
| เทคโนโลยี: | Power MOSFET |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | PowerSSO-36 |
| ชุด: | - |
| Rds On (Typ): | 150 mOhm LS (Max), 150 mOhm HS (Max) |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 36-PowerBFSOP (0.295", 7.50mm Width) |
| การกำหนดค่าเอาท์พุท: | Half Bridge |
| ชื่ออื่น: | 497-14589-2 L99SD01TR-E-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 42 Weeks |
| ประเภทการโหลด: | Inductive |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| อินเตอร์เฟซ: | I²C, PWM |
| คุณลักษณะเด่น: | Status Flag |
| การป้องกันความผิดพลาด: | Current Limiting, Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage, UVLO |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Half Bridge Driver Solenoids Power MOSFET PowerSSO-36 |
| ปัจจุบัน - ยอดส่งออก: | - |
| ปัจจุบัน - ออก / ช่องทาง: | 14A |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | L99SD01 |
| การประยุกต์ใช้งาน: | Solenoids |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ L99SD01TR-E
ข่าว Latest
- Qorvo เปิดตัวระดับสูงที่ยอดเยี่ยมของอุตสาหกรรมระดับสูง 5G MMIMO Preliminaries
- วงจรการจำลองสินค้าคงคลังด้านล่าง AI จะขับเคลื่อนความต้องการหน่วยความจำแฟลชยังคงดำเนินต่อไป
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC