KUHP-11D51-12 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ KUHP-11D51-12 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ KUHP-11D51-12 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ KUHP-11D51-12 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
KUHP-11D51-12
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- KUHP-11D51-12
- ผู้ผลิต:
- Agastat Relays / TE Connectivity
- ลักษณะ:
- RELAY GEN PURPOSE DPDT 20A 12V
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ประกอบด้วยตะกั่ว / RoHS Compliant
- ปริมาณสต็อค:
- 23170 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- KUHP-11D51-12.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| เปิดแรงดัน (สูงสุด): | 9 VDC |
| ปิดแรงดัน (ต่ำสุด): | - |
| รูปแบบการสิ้นสุด: | Quick Connect - 0.250" (6.3mm) |
| แรงดันไฟฟ้าสลับ: | 240VAC - Max |
| ชุด: | KUHP |
| เวลาปล่อย: | 20ms |
| ประเภท Relay: | General Purpose |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| ชื่ออื่น: | 7-1393114-7 KUHP11D5112 PB622 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -45°C ~ 70°C |
| เวลาทำงาน: | 20ms |
| ประเภทการติดตั้ง: | Chassis Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 8 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Contains lead / RoHS Compliant |
| คุณลักษณะเด่น: | Insulation - Class B |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | General Purpose Relay DPDT (2 Form C) 12VDC Coil Chassis Mount |
| พิกัด (ปัจจุบัน): | 20A |
| วัสดุของ: | Silver Cadmium Oxide (AgCdO) |
| แบบฟอร์มการติดต่อ: | DPDT (2 Form C) |
| ขดลวดแรงดันไฟฟ้า: | 12VDC |
| ประเภทคอยล์: | Non Latching |
| ความต้านทานของคอยล์: | 120 Ohms |
| ขดลวดไฟฟ้า: | 1.2 W |
| คอยล์ปัจจุบัน: | 100mA |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ KUHP-11D51-12
ข่าว Latest
- แขนปรากฏใน Computex 2024: คาดว่าจะใช้อุปกรณ์ ARM มากกว่า 100 พันล้านเครื่องสำหรับ AI ภายในสิ้นปี 2568
- Qorvo เปิดตัวระดับสูงที่ยอดเยี่ยมของอุตสาหกรรมระดับสูง 5G MMIMO Preliminaries
- วงจรการจำลองสินค้าคงคลังด้านล่าง AI จะขับเคลื่อนความต้องการหน่วยความจำแฟลชยังคงดำเนินต่อไป
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด