JANTXV2N2323AS พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ JANTXV2N2323AS เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ JANTXV2N2323AS ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ JANTXV2N2323AS ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
JANTXV2N2323AS
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- JANTXV2N2323AS
- ผู้ผลิต:
- Microsemi
- ลักษณะ:
- DIODE SILICON CTRL TO39
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 29803 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- JANTXV2N2323AS.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ปิดเครื่อง: | 50V |
| แรงดันไฟฟ้า - กระตุ้นเกท (Vgt) (สูงสุด): | 600mV |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TO-39 (TO-205AD) |
| ชุด: | Military, MIL-PRF-19500/276 |
| ประเภท SCR: | Sensitive Gate |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| ชื่ออื่น: | 1086-20691 1086-20691-MIL |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -65°C ~ 125°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | SCR 50V Sensitive Gate Through Hole TO-39 (TO-205AD) |
| ปัจจุบัน - วันที่ของรัฐ (มัน (AV)) (สูงสุด): | 220mA |
| ปัจจุบัน -. องค์กรไม่แสวงหาตัวแทน Surge 50, 60Hz (ITSM): | - |
| ปัจจุบัน - ถือ (Ih) (สูงสุด): | 2mA |
| ปัจจุบัน - กระตุ้นเกท (Igt) (สูงสุด): | 20µA |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ JANTXV2N2323AS
ข่าว Latest
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น