ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ไดโอด - Rectifiers - โทนเดียว > JAN1N5616US
JAN1N5616US
รุ่นผลิตภัณฑ์:
JAN1N5616US
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
DIODE GEN PURP 400V 1A D5A
สถานะตะกั่วฟรี:
ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
ปริมาณสต็อค:
57722 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
เวลานำ:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
JAN1N5616US.pdf
การสอบสวน

บทนำ

JAN1N5616US พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ JAN1N5616US เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ JAN1N5616US ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ JAN1N5616US ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New & Original, tested
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
รหัสการทำเครื่องหมาย Send by email
แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก:1.3V @ 3A
แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด):400V
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:D-5A
ความเร็ว:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
ชุด:Military, MIL-PRF-19500/427
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR):2µs
บรรจุภัณฑ์:Bulk
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:SQ-MELF, A
ชื่ออื่น:1086-2105
1086-2105-MIL
อุณหภูมิในการทำงาน - Junction:-65°C ~ 200°C
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:8 Weeks
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
ประเภทไดโอด:Standard
คำอธิบายโดยละเอียด:Diode Standard 400V 1A Surface Mount D-5A
ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr:500nA @ 400V
ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ):1A
การประจุกระแสไฟ @ Vr, F:-
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ JAN1N5616US

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
JAN1N5552US Image JAN1N5552US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF การสอบสวน
JAN1N5614US Image JAN1N5614US Microsemi DIODE GEN PURP 200V 1A D5A การสอบสวน
JAN1N5620 Image JAN1N5620 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL การสอบสวน
JAN1N5621 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL การสอบสวน
JAN1N5616 Image JAN1N5616 Microsemi DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL การสอบสวน
JAN1N5619 Image JAN1N5619 Microsemi DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL การสอบสวน
JAN1N5554US Image JAN1N5554US Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 5A D5B การสอบสวน
JAN1N5620US Microsemi DIODE GEN PURP 800V 1A D5A การสอบสวน
JAN1N5617 Image JAN1N5617 Microsemi DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL การสอบสวน
JAN1N5554 Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL การสอบสวน
JAN1N5615US Image JAN1N5615US Microsemi DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A การสอบสวน
JAN1N5619US Microsemi DIODE GEN PURP 600V 1A D5A การสอบสวน
JAN1N5553 Microsemi DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL การสอบสวน
JAN1N5553US Microsemi DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF การสอบสวน
JAN1N5618 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL การสอบสวน
JAN1N5617US Microsemi DIODE GEN PURP 400V 1A D5A การสอบสวน
JAN1N5614 Image JAN1N5614 Microsemi DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL การสอบสวน
JAN1N5615 Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL การสอบสวน
JAN1N5621US Microsemi DIODE GEN PURP 800V 1A D5A การสอบสวน
JAN1N5618US Microsemi DIODE GEN PURP 600V 1A D5A การสอบสวน

ข่าว Latest