ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > IXFN300N10P
IXFN300N10P
IXFN300N10P
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IXFN300N10P
ผู้ผลิต:
IXYS Corporation
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 100V 295A SOT-227
สถานะตะกั่วฟรี:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณสต็อค:
42951 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
เวลานำ:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
IXFN300N10P.pdf
การสอบสวน

บทนำ

IXFN300N10P พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ IXFN300N10P เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ IXFN300N10P ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IXFN300N10P ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New & Original, tested
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
รหัสการทำเครื่องหมาย Send by email
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:5V @ 8mA
Vgs (สูงสุด):±20V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:SOT-227B
ชุด:Polar™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:5.5 mOhm @ 50A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):1070W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:SOT-227-4, miniBLOC
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Chassis Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:24 Weeks
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:23000pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:279nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):100V
คำอธิบายโดยละเอียด:N-Channel 100V 295A (Tc) 1070W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:295A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IXFN300N10P

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
IXFN26N120P Image IXFN26N120P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B การสอบสวน
IXFN30N120P Image IXFN30N120P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B การสอบสวน
IXFN32N60 Image IXFN32N60 IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 32A SOT-227 การสอบสวน
IXFN27N80Q Image IXFN27N80Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B การสอบสวน
IXFN32N100P Image IXFN32N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B การสอบสวน
IXFN25N90 Image IXFN25N90 IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B การสอบสวน
IXFN32N80P Image IXFN32N80P IXYS MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B การสอบสวน
IXFN32N100Q3 Image IXFN32N100Q3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 28A SOT-227 การสอบสวน
IXFN320N17T2 Image IXFN320N17T2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 170V 260A SOT227 การสอบสวน
IXFN280N085 Image IXFN280N085 IXYS Corporation MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B การสอบสวน
IXFN340N06 Image IXFN340N06 IXYS Corporation MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B การสอบสวน
IXFN32N120P Image IXFN32N120P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B การสอบสวน
IXFN300N20X3 Image IXFN300N20X3 IXYS Corporation 200V/300A ULTRA JUNCTION X3-CLAS การสอบสวน
IXFN27N80 Image IXFN27N80 IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B การสอบสวน
IXFN26N90 Image IXFN26N90 IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B การสอบสวน
IXFN260N17T Image IXFN260N17T IXYS Corporation MOSFET N-CH 170V 245A SOT-227 การสอบสวน
IXFN26N100P Image IXFN26N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B การสอบสวน
IXFN24N90Q Image IXFN24N90Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 24A SOT-227B การสอบสวน
IXFN30N110P Image IXFN30N110P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B การสอบสวน
IXFN280N07 Image IXFN280N07 IXYS Corporation MOSFET N-CH 70V 280A SOT-227B การสอบสวน

ข่าว Latest