IXBK75N170A พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ IXBK75N170A เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ IXBK75N170A ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IXBK75N170A ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
IXBK75N170A
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- IXBK75N170A
- ผู้ผลิต:
- IXYS Corporation
- ลักษณะ:
- IGBT 1700V 110A 1040W TO264
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 54154 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- IXBK75N170A.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด): | 1700V |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี: | 6V @ 15V, 42A |
| ทดสอบสภาพ: | 1360V, 42A, 1 Ohm, 15V |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C: | 26ns/418ns |
| การสลับพลังงาน: | 3.8mJ (off) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TO-264 |
| ชุด: | BIMOSFET™ |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR): | 360ns |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 1040W |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-264-3, TO-264AA |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 14 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ประเภทขาเข้า: | Standard |
| ประเภท IGBT: | - |
| ค่าใช้จ่ายประตู: | 358nC |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | IGBT 1700V 110A 1040W Through Hole TO-264 |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM): | 300A |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด): | 110A |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | IXB*75N170 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IXBK75N170A
ข่าว Latest
- แขนปรากฏใน Computex 2024: คาดว่าจะใช้อุปกรณ์ ARM มากกว่า 100 พันล้านเครื่องสำหรับ AI ภายในสิ้นปี 2568
- Qorvo เปิดตัวระดับสูงที่ยอดเยี่ยมของอุตสาหกรรมระดับสูง 5G MMIMO Preliminaries
- วงจรการจำลองสินค้าคงคลังด้านล่าง AI จะขับเคลื่อนความต้องการหน่วยความจำแฟลชยังคงดำเนินต่อไป
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด