ISPLSI 1016E-125LJN พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ ISPLSI 1016E-125LJN เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ ISPLSI 1016E-125LJN ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ ISPLSI 1016E-125LJN ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
ISPLSI 1016E-125LJN
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- ISPLSI 1016E-125LJN
- ผู้ผลิต:
- Lattice Semiconductor
- ลักษณะ:
- IC CPLD 64MC 7.5NS 44PLCC
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 34797 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| การจ่ายแรงดัน - ภายใน: | 4.75 V ~ 5.25 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 44-PLCC (16.58x16.58) |
| ชุด: | ispLSI® 1000E |
| ตั้งโปรแกรมประเภท: | In System Programmable |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 44-LCC (J-Lead) |
| ชื่ออื่น: | ISPLSI 1016E-125LJN-ND ISPLSI1016E-125LJN |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| จำนวนมาโครเซล: | 64 |
| จำนวนลอจิกองค์ประกอบ / บล็อก: | 16 |
| จำนวน I / O: | 32 |
| จำนวนเกตส์: | 2000 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 3 (168 Hours) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ระยะเวลาที่ล่าช้า TPD (1) แม็กซ์: | 7.5ns |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | ISPLSI 1016 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ ISPLSI 1016E-125LJN
ข่าว Latest
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร