ISL89163FRTBZ พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ ISL89163FRTBZ เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ ISL89163FRTBZ ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ ISL89163FRTBZ ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
ISL89163FRTBZ
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- ISL89163FRTBZ
- ผู้ผลิต:
- Intersil
- ลักษณะ:
- MOSFET DRIVER 2CH 5.0V 6A 8TDFN
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 44984 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- ISL89163FRTBZ.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 4.5 V ~ 16 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 8-TDFN (3x3) |
| ชุด: | - |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท): | 20ns, 20ns |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-WDFN Exposed Pad |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| ความถี่ขาเข้า: | 2 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 3 (168 Hours) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 6 Weeks |
| แรงดันลอจิก - VIL, VIH: | 1.85V, 3.15V |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ประเภทขาเข้า: | Non-Inverting |
| ประเภทประตู: | N-Channel MOSFET |
| การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน: | Low-Side |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-TDFN (3x3) |
| ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink): | 6A, 6A |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด): | Independent |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | ISL89163 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ ISL89163FRTBZ
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
ISL89164FBEAZ | Intersil | MOSFET DRIVER 2CH 3.3V 6A 8SOIC | การสอบสวน |
|
ISL89163FBEBZ-T | Intersil | MOSFET DRIVER 2CH 5.0V 6A 8SOIC | การสอบสวน |
 |
ISL89163FRTCZ-T | Intersil | MOSFET DRIVER 2CH 6A 8TDFN | การสอบสวน |
|
ISL89164FBECZ | Intersil | MOSFET DRIVER 2CH 6A 8SOIC | การสอบสวน |
|
ISL89163FBEAZ-T | Intersil | MOSFET DRIVER 2CH 3.3V 6A 8SOIC | การสอบสวน |
|
ISL89164FBEBZ-T | Intersil | MOSFET DRIVER 2CH 5.0V 6A 8SOIC | การสอบสวน |
|
ISL89163FBEBZ | Intersil | MOSFET DRIVER 2CH 5.0V 6A 8SOIC | การสอบสวน |
|
ISL89163FRTCZ | Intersil | MOSFET DRIVER 2CH 6A 8TDFN | การสอบสวน |
|
ISL89163FBEAZ | Intersil | MOSFET DRIVER 2CH 3.3V 6A 8SOIC | การสอบสวน |
 |
ISL89162FRTBZ | Intersil | IC MOSFET DRIVER 2CH 6A 8TDFN | การสอบสวน |
|
ISL89164FBECZ-T | Intersil | MOSFET DRIVER 2CH 6A 8SOIC | การสอบสวน |
|
ISL89163FRTAZ-T | Intersil | MOSFET DRIVER 2CH 3.3V 6A 8TDFN | การสอบสวน |
|
ISL89163FRTBZ-T | Intersil | MOSFET DRIVER 2CH 5.0V 6A 8TDFN | การสอบสวน |
|
ISL89162FRTBZ-T | Intersil | IC MOSFET DRIVER 2CH 6A 8TDFN | การสอบสวน |
|
ISL89164FBEAZ-T | Intersil | MOSFET DRIVER 2CH 3.3V 6A 8SOIC | การสอบสวน |
|
ISL89164FBEBZ | Intersil | MOSFET DRIVER 2CH 5.0V 6A 8SOIC | การสอบสวน |
|
ISL89163FBECZ-T | Intersil | MOSFET DRIVER 2CH 6A 8SOIC | การสอบสวน |
|
ISL89163FBECZ | Intersil | MOSFET DRIVER 2CH 6A 8SOIC | การสอบสวน |
|
ISL89163FRTAZ | Intersil | MOSFET DRIVER 2CH 3.3V 6A 8TDFN | การสอบสวน |
|
ISL89164FRTAZ | Intersil | MOSFET DRIVER 2CH 3.3V 6A 8TDFN | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด