IRF6802SDTR1PBF พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ IRF6802SDTR1PBF เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ IRF6802SDTR1PBF ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IRF6802SDTR1PBF ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
IRF6802SDTR1PBF
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- IRF6802SDTR1PBF
- ลักษณะ:
- MOSFET 2N-CH 25V 16A SA
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 37673 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- IRF6802SDTR1PBF.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 2.1V @ 35µA |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | DIRECTFET™ SA |
| ชุด: | HEXFET® |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 4.2 mOhm @ 16A, 10V |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 1.7W |
| บรรจุภัณฑ์: | Original-Reel® |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | DirectFET™ Isometric SA |
| ชื่ออื่น: | IRF6802SDTR1PBFDKR |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 1350pF @ 13V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 13nC @ 4.5V |
| ประเภท FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| คุณสมบัติ FET: | Logic Level Gate |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 25V |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 16A 1.7W Surface Mount DIRECTFET™ SA |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 16A |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IRF6802SDTR1PBF
ข่าว Latest
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด