IMS02WWDER470K40 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ IMS02WWDER470K40 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ IMS02WWDER470K40 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IMS02WWDER470K40 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
IMS02WWDER470K40
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- IMS02WWDER470K40
- ผู้ผลิต:
- Dale / Vishay
- ลักษณะ:
- IMS-2WWD-40 47 10% ER E2
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 51265 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- IMS02WWDER470K40.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| ชนิด: | Wirewound |
| ความอดทน: | ±10% |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | Axial |
| ขนาด / มิติ: | 0.133" Dia x 0.335" L (3.38mm x 8.51mm) |
| การป้องกัน: | Shielded |
| ชุด: | IMS-2WWD-40 |
| ความนิยม: | - |
| Q @ ความถี่: | 42 @ 2.5MHz |
| บรรจุภัณฑ์: | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | Axial |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 125°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| วัสดุ - คอร์: | Ferrite |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ความถี่เหนี่ยวนำ - การทดสอบ: | 2.5MHz |
| การเหนี่ยวนำ: | 47µH |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | - |
| ความถี่ - พ้องในตัวเอง: | 23MHz |
| คุณลักษณะเด่น: | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 47µH Shielded Wirewound Inductor 370mA 2.41 Ohm Max Axial |
| ทนทานกระแสไฟตรง (DCR): | 2.41 Ohm Max |
| พิกัดกระแส: | 370mA |
| ปัจจุบัน - อิ่มตัว: | 140mA |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IMS02WWDER470K40
ข่าว Latest
- แขนปรากฏใน Computex 2024: คาดว่าจะใช้อุปกรณ์ ARM มากกว่า 100 พันล้านเครื่องสำหรับ AI ภายในสิ้นปี 2568
- Qorvo เปิดตัวระดับสูงที่ยอดเยี่ยมของอุตสาหกรรมระดับสูง 5G MMIMO Preliminaries
- วงจรการจำลองสินค้าคงคลังด้านล่าง AI จะขับเคลื่อนความต้องการหน่วยความจำแฟลชยังคงดำเนินต่อไป
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด