IMB36652C พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ IMB36652C เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ IMB36652C ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IMB36652C ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
IMB36652C
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- IMB36652C
- ผู้ผลิต:
- Crouzet
- ลักษณะ:
- IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST 2M
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 53528 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- IMB36652C.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | - |
| รูปแบบการสิ้นสุด: | Cable Leads |
| การป้องกัน: | - |
| ชุด: | - |
| ประเภทเซนเซอร์: | Inductive |
| ระยะทางที่ไกล: | 0.079" (2mm) |
| การตอบสนองความถี่: | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | - |
| ประเภทขาออก: | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | - |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| วัสดุ - ร่างกาย: | - |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ป้องกันน้ำและฝุ่น: | - |
| ตัวบ่งชี้: | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Inductive Proximity Sensor 0.079" (2mm) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IMB36652C
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
IMB35656C | Crouzet | IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST 2M | การสอบสวน |
|
IMB36654C | Crouzet | IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST 2M | การสอบสวน |
|
IMB36652M12 | Crouzet | IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST M12 | การสอบสวน |
|
IMB36656M12 | Crouzet | IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M12 | การสอบสวน |
|
IMB35652C | Crouzet | IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST 2M | การสอบสวน |
 |
IMB4AT110 | LAPIS Semiconductor | TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 | การสอบสวน |
|
IMB36652M8 | Crouzet | IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST M8 | การสอบสวน |
|
IMB3AT110 | LAPIS Semiconductor | TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 | การสอบสวน |
|
IMB36656M8 | Crouzet | IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M8 | การสอบสวน |
|
IMB36654M8 | Crouzet | IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST M8 | การสอบสวน |
|
IMB35652M8 | Crouzet | IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST M8 | การสอบสวน |
|
IMB35654M12 | Crouzet | IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST M12 | การสอบสวน |
|
IMB36656C | Crouzet | IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST 2M | การสอบสวน |
|
IMB35652M12 | Crouzet | IPD 6.5-2MM NONSHLD 3W SPST M12 | การสอบสวน |
|
IMB36654M12 | Crouzet | IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST M12 | การสอบสวน |
|
IMB35656M8 | Crouzet | IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M8 | การสอบสวน |
|
IMB35654M8 | Crouzet | IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST M8 | การสอบสวน |
|
IMB35656M12 | Crouzet | IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M12 | การสอบสวน |
|
IMB33653M8 | Crouzet | IPD 6.5-3MM SHLD 3W SPST M8 | การสอบสวน |
|
IMB35654C | Crouzet | IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST 2M | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS