ICS18LN12NOM1-FB พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ ICS18LN12NOM1-FB เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ ICS18LN12NOM1-FB ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ ICS18LN12NOM1-FB ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
ICS18LN12NOM1-FB
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- ICS18LN12NOM1-FB
- ผู้ผลิต:
- Carlo Gavazzi
- ลักษณะ:
- SEN PROX M18 NPN NO
- ปริมาณสต็อค:
- 54747 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- ICS18LN12NOM1-FB.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 10 V ~ 36 V |
| รูปแบบการสิ้นสุด: | Connector |
| การป้องกัน: | Unshielded |
| ชุด: | ICS |
| ประเภทเซนเซอร์: | Inductive |
| ระยะทางที่ไกล: | 0.472" (12mm) |
| การตอบสนองความถี่: | 1.5kHz |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | Cylinder, Threaded - M18 |
| ประเภทขาออก: | NPN-NO, 4-Wire |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 80°C (TA) |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | Not Applicable |
| วัสดุ - ร่างกาย: | Stainless Steel |
| ป้องกันน้ำและฝุ่น: | IP67, IP68, IP69K |
| ตัวบ่งชี้: | LED |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Inductive Proximity Sensor 0.472" (12mm) IP67, IP68, IP69K Cylinder, Threaded - M18 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ ICS18LN12NOM1-FB
ข่าว Latest
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น