HVD5-B20M-050-05 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ HVD5-B20M-050-05 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ HVD5-B20M-050-05 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ HVD5-B20M-050-05 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
HVD5-B20M-050-05
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- HVD5-B20M-050-05
- ผู้ผลิต:
- Caddock Electronics, Inc.
- ลักษณะ:
- RES NETWORK 2 RES MULT OHM 15SIP
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 54659 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- HVD5-B20M-050-05.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| ความอดทน: | ±0.05% |
| ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ: | ±30ppm/°C |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | - |
| ขนาด / มิติ: | 1.500" L x 0.110" W (38.10mm x 2.79mm) |
| ชุด: | HVD |
| ต้านทานอัตราส่วน-ดริฟท์: | ±5 ppm/°C |
| อัตราส่วนการจับคู่ตัวต้านทาน: | ±0.05% |
| ต้านทาน (โอห์ม): | 200k, 19.8M |
| อำนาจต่อธาตุ: | 31mW |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 15-SIP, 6 Leads |
| ชื่ออื่น: | HVD5B20M05005 MDCHVD5-B20M MDN1213-15 REFHVD5-B20M-050-05 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C |
| จำนวนตัวต้านทาน: | 2 |
| จำนวนพิน: | 6 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 15 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.610" (15.50mm) |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 200k, 19.8M Ohm ±0.05% 31mW Power Per Element Voltage Divider 2 Resistor Network/Array ±30ppm/°C 15-SIP, 6 Leads |
| ประเภทแผงวงจร: | Voltage Divider |
| การประยุกต์ใช้งาน: | Voltage Divider (TCR Matched) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ HVD5-B20M-050-05
ข่าว Latest
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS