HSM5100J/TR13 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ HSM5100J/TR13 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ HSM5100J/TR13 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ HSM5100J/TR13 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
HSM5100J/TR13
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- HSM5100J/TR13
- ผู้ผลิต:
- Microsemi
- ลักษณะ:
- DIODE SCHOTTKY 100V 5A DO214AB
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 50839 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- HSM5100J/TR13.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก: | 800mV @ 5A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด): | 100V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | DO-214AB |
| ความเร็ว: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| ชุด: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | DO-214AB, SMC |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction: | -55°C ~ 175°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| ประเภทไดโอด: | Schottky |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Diode Schottky 100V 5A Surface Mount DO-214AB |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 250µA @ 100V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ): | 5A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F: | - |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | HSM5100 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ HSM5100J/TR13
ข่าว Latest
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร