HSCMRNN100PASA3 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ HSCMRNN100PASA3 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ HSCMRNN100PASA3 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ HSCMRNN100PASA3 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
HSCMRNN100PASA3
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- HSCMRNN100PASA3
- ลักษณะ:
- TRUSTABILITY PRESSURE SENSOR
- ปริมาณสต็อค:
- 22322 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 3 V ~ 3.6 V |
| รูปแบบการสิ้นสุด: | J Lead |
| ชุด: | RSC |
| ประเภทแรงดัน: | Absolute |
| สไตล์พอร์ต: | Barbed |
| ท่าเรือขนาด: | Male - 0.08" (1.93mm) Tube, Dual |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-SMD, J-Lead, Side Port |
| ประเภทขาออก: | SPI |
| เอาท์พุต: | 12 b |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -20°C ~ 85°C |
| ความดันการดำเนินงาน: | 15 PSI (100 kPa) |
| ความดันสูงสุด: | 10.88 PSI (75.02 kPa) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 8 Weeks |
| คุณลักษณะเด่น: | Amplified Output, Temperature Compensated |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Pressure Sensor 15 PSI (100 kPa) Absolute Male - 0.08" (1.93mm) Tube, Dual 12 b 8-SMD, J-Lead, Side Port |
| ความถูกต้อง: | ±0.25% |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ HSCMRNN100PASA3
ข่าว Latest
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด