HMC5128LP5E พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ HMC5128LP5E เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ HMC5128LP5E ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ HMC5128LP5E ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
HMC5128LP5E
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- HMC5128LP5E
- ผู้ผลิต:
- ADI (Analog Devices, Inc.)
- ลักษณะ:
- IC VCO
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 34231 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- HMC5128LP5E.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 5V |
| การปรับแต่งแรงดัน (VDC): | 2V ~ 13V |
| ขนาด / มิติ: | 0.197" L x 0.197" W (5.00mm x 5.00mm) |
| ชุด: | HMC512 |
| ผลักดัน (MHz / V): | 30 (Typ) |
| เพาเวอร์ (dBm): | -5.5 ±2.5, 10 ±4, 9 ±6 |
| เฟสเสียงรบกวน Typ (dBc / Hz): | -110 |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 32-VFQFN Exposed Pad, CSP |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| ICC แม็กซ์: | 370mA |
| ความสูง: | 0.039" (1.00mm) |
| ช่วงความถี่: | 2.4 ~ 2.7GHz, 4.8 ~ 5.4GHz, 9.6 ~ 10.8GHz |
| ความถี่ - ศูนย์: | 2.55GHz, 5.1GHz, 10.2GHz |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 2.55GHz, 5.1GHz, 10.2GHz Center Frequency 2V ~ 13V Voltage Controlled Oscillator -5.5 ±2.5, 10 ±4, 9 ±6 dBm 25 2nd Harmonic, Typ (dBc) |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | HMC512 |
| 2 ฮาร์โมนิ Typ (dBc): | 25 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ HMC5128LP5E
ข่าว Latest
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS