HHXC630ARA820MJA0G พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ HHXC630ARA820MJA0G เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ HHXC630ARA820MJA0G ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ HHXC630ARA820MJA0G ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
HHXC630ARA820MJA0G
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- HHXC630ARA820MJA0G
- ผู้ผลิต:
- Nippon Chemi-Con
- ลักษณะ:
- CAP ALUM POLY 82UF 20% 63V SMD
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 43746 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- HHXC630ARA820MJA0G.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม: | 63V |
| ชนิด: | Hybrid |
| ความอดทน: | ±20% |
| พื้นผิวขนาดที่ดินภูเขา: | 0.406" L x 0.406" W (10.30mm x 10.30mm) |
| ขนาด / มิติ: | 0.394" Dia (10.00mm) |
| ชุด: | HXC |
| กระแส Ripple @ ความถี่สูง: | 1.4A @ 100kHz |
| ความนิยม: | AEC-Q200 |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | Radial, Can - SMD |
| ชื่ออื่น: | 565-4791 565-4791-2 565-4791-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 125°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 16 Weeks |
| อายุการใช้งาน @ ชั่วคราว: | 4000 Hrs @ 125°C |
| เว้นพื้นที่ตัวนำ: | - |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.413" (10.50mm) |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | 30 mOhm @ 100kHz |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 82µF 63V Aluminum Polymer Capacitor Radial, Can - SMD 30 mOhm @ 100kHz 4000 Hrs @ 125°C |
| ปริมาตร: | 82µF |
| การประยุกต์ใช้งาน: | Automotive |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ HHXC630ARA820MJA0G
ข่าว Latest
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS