HCZ681KBCDF0KR พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ HCZ681KBCDF0KR เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ HCZ681KBCDF0KR ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ HCZ681KBCDF0KR ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
HCZ681KBCDF0KR
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- HCZ681KBCDF0KR
- ผู้ผลิต:
- Angstrohm / Vishay
- ลักษณะ:
- CAP CER 680PF 3KV RADIAL
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 43458 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- HCZ681KBCDF0KR.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| อัตราส่วนแรงดันไฟฟ้า - AC: | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม: | 3000V (3kV) |
| ความอดทน: | 680pF |
| ความหนา (สูงสุด): | - |
| พื้นผิวขนาดที่ดินภูเขา: | 0.394" (10.00mm) |
| ขนาด / มิติ: | 0.394" Dia (10.00mm) |
| ชุด: | HCZ |
| สถานะ RoHS: | Bulk |
| Ripple Current - ความถี่ต่ำ: | General Purpose |
| ความนิยม: | - |
| โพลาไรซ์: | Radial, Disc |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 30 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | HCZ681KBCDF0KR |
| สไตล์ตะกั่ว: | - |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.512" (13.00mm) |
| คุณลักษณะเด่น: | High Voltage |
| อัตราความล้มเหลว: | Straight |
| ขยายคำอธิบาย: | 680pF ±10% 3000V (3kV) Ceramic Capacitor Radial, Disc |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | ±10% |
| ลักษณะ: | CAP CER 680PF 3KV RADIAL |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ HCZ681KBCDF0KR
ข่าว Latest
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS
- โรงงานชิปขนาดใหญ่ได้รับผลกระทบจากแผ่นดินไหว: TSMC หยุดทำงานอย่างเร่งด่วนทำให้การจัดหา GPU รุนแรงขึ้นในระยะสั้นหรือไม่?
- หน่วยความจำแฟลช NAND ยังคงดำเนินต่อไป MCU Destocking Bottom ถูกต้อง
- ภายใต้ AI Air Outlet ยักษ์ใหญ่ชิปสองตัวคือ "ไม่แข็งแกร่ง": ทุบเงินเพื่อทำลายเกมเดิมพันในการต่อสู้ทีม 2025