HCM49-35.328MABJTR พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ HCM49-35.328MABJTR เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ HCM49-35.328MABJTR ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ HCM49-35.328MABJTR ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
HCM49-35.328MABJTR
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- HCM49-35.328MABJTR
- ผู้ผลิต:
- Citizen Finedevice Co., LTD.
- ลักษณะ:
- CRYSTAL 35.3280MHZ 18PF SMD
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 48193 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| ชนิด: | MHz Crystal |
| ขนาด / มิติ: | 0.449" L x 0.190" W (11.40mm x 4.83mm) |
| ชุด: | HCM49 |
| ความนิยม: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Cut Tape (CT) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | HC-49/US |
| ชื่ออื่น: | HCM49-35.328MABJCT HCM4935.328MABJCT HCM4935.328MABJCT-ND HCM4935328MABJTR |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -10°C ~ 60°C |
| โหมดการทำงาน: | 3rd Overtone |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ความจุโหลด: | 18pF |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.169" (4.30mm) |
| ความอดทนความถี่: | ±30ppm |
| ความเสถียรของความถี่: | ±50ppm |
| ความถี่: | 35.328MHz |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | 140 Ohms |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 35.328MHz ±30ppm Crystal 18pF 140 Ohms HC-49/US |
| รัฐแคลิฟอร์เนีย Prop 65: | Warning Information WARNING: This product can expose you to chemicals including Nickel (Metallic) which is known to the State of California to cause cancer and Ethylene glycol monoethyl ether acetate which is known to the State of California to cause birth defects or other reproductive harm. For more information go to www.P65warnings.ca.gov. |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ HCM49-35.328MABJTR
ข่าว Latest
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่