HBZ332MBBCRUKR พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ HBZ332MBBCRUKR เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ HBZ332MBBCRUKR ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ HBZ332MBBCRUKR ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
HBZ332MBBCRUKR
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- HBZ332MBBCRUKR
- ผู้ผลิต:
- Angstrohm / Vishay
- ลักษณะ:
- CAP CER 3300PF 2KV RADIAL
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 34639 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- HBZ332MBBCRUKR.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| อัตราส่วนแรงดันไฟฟ้า - AC: | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม: | 2000V (2kV) |
| ความอดทน: | 3300pF |
| ความหนา (สูงสุด): | - |
| พื้นผิวขนาดที่ดินภูเขา: | 0.295" (7.50mm) |
| ขนาด / มิติ: | 0.512" Dia (13.00mm) |
| ชุด: | HBZ |
| สถานะ RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Ripple Current - ความถี่ต่ำ: | General Purpose |
| ความนิยม: | - |
| โพลาไรซ์: | Radial, Disc |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 30 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | HBZ332MBBCRUKR |
| สไตล์ตะกั่ว: | - |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.630" (16.00mm) |
| คุณลักษณะเด่น: | High Voltage |
| อัตราความล้มเหลว: | Straight |
| ขยายคำอธิบาย: | 3300pF ±20% 2000V (2kV) Ceramic Capacitor Radial, Disc |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | ±20% |
| ลักษณะ: | CAP CER 3300PF 2KV RADIAL |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ HBZ332MBBCRUKR
ข่าว Latest
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS