GP10-4004EHE3/53 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ GP10-4004EHE3/53 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ GP10-4004EHE3/53 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ GP10-4004EHE3/53 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
GP10-4004EHE3/53
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- GP10-4004EHE3/53
- ผู้ผลิต:
- ลักษณะ:
- DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 55499 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- GP10-4004EHE3/53.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด): | Standard |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก: | 1A |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | DO-204AL (DO-41) |
| ชุด: | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® |
| สถานะ RoHS: | Tape & Box (TB) |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR): | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ต้านทาน @ ถ้า F: | 8pF @ 4V, 1MHz |
| โพลาไรซ์: | DO-204AL, DO-41, Axial |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction: | 3µs |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | GP10-4004EHE3/53 |
| ขยายคำอธิบาย: | Diode Standard 400V 1A Through Hole DO-204AL (DO-41) |
| การกำหนดค่าไดโอด: | 5µA @ 400V |
| ลักษณะ: | DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 1.1V @ 1A |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode): | 400V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F: | -65°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ GP10-4004EHE3/53
ข่าว Latest
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS
- โรงงานชิปขนาดใหญ่ได้รับผลกระทบจากแผ่นดินไหว: TSMC หยุดทำงานอย่างเร่งด่วนทำให้การจัดหา GPU รุนแรงขึ้นในระยะสั้นหรือไม่?
- หน่วยความจำแฟลช NAND ยังคงดำเนินต่อไป MCU Destocking Bottom ถูกต้อง