GN2470K4-G พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ GN2470K4-G เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ GN2470K4-G ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ GN2470K4-G ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
GN2470K4-G
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- GN2470K4-G
- ผู้ผลิต:
- Micrel / Microchip Technology
- ลักษณะ:
- IC IGBT 700V 3.5A 3DPAK
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 46657 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- GN2470K4-G.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด): | 700V |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี: | 5V @ 13V, 3A |
| ทดสอบสภาพ: | - |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C: | 8ns/20ns |
| การสลับพลังงาน: | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TO-252 |
| ชุด: | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 2.5W |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 3 (168 Hours) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ประเภทขาเข้า: | Standard |
| ประเภท IGBT: | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | IGBT 700V 1A 2.5W Surface Mount TO-252 |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM): | 3.5A |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด): | 1A |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ GN2470K4-G
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
GN25L53-GRP6 | Semtech | IC AMP TIA 2.5GB OC-48 DIE RING | การสอบสวน |
|
GN25L95-QFN | Semtech | IC LASER DVR/LIMITING AMP 28QFN | การสอบสวน |
|
GN2408BIBE3 | Semtech | IC RETIMER 1.25-12.8G CDR 144BGA | การสอบสวน |
|
GN2412BIBE3 | Semtech | IC RETIMR 12.8G 12X12 CDR 144BGA | การสอบสวน |
|
GN25L52-WP | Semtech | IC AMP TIA 2.5GB 8" DIE WAFER | การสอบสวน |
|
GN2405AINE3-S | Semtech | IC RETIMER 10GBPS 4CH 48QFN | การสอบสวน |
|
GN2410FBIBE3 | Semtech | IC RETIMER 12CH CDR/EQ 144BGA | การสอบสวน |
|
GN25L53-GRP8 | Semtech | IC AMP TIA 2.5GB OC-48 DIE RING | การสอบสวน |
|
GN2407BIBE3 | Semtech | IC RETIMER 1.2-11.5G CDR 144BGA | การสอบสวน |
|
GN25L52-GRP8 | Semtech | IC AMP TIA 2.5GB OC-48 DIE RING | การสอบสวน |
|
GN25L53-WP | Semtech | IC AMP TIA 2.5GB 8" DIE WAFER | การสอบสวน |
|
GN2406-INE3-S | Semtech | IC RETIMER 10GBPS 4CH 48QFN | การสอบสวน |
|
GN2425AINE3 | Semtech | DUAL-CDR 25-28GB/S REPEATER | การสอบสวน |
|
GN2411BIBE3 | Semtech | IC RETIMR 11.5G 12X12 CDR 144BGA | การสอบสวน |
|
GN25L53-PR | Semtech | IC AMP TIA 2.5GB DIE WAFER | การสอบสวน |
 |
GN2405AINE3 | Semtech | IC CONDITIONER RE-TIMER | การสอบสวน |
|
GN25L52-PR | Semtech | IC AMP TIA 2.5GB DIE WAFER | การสอบสวน |
|
GN2406-INE3 | Semtech | IC CONDITIONER RE-TIMER | การสอบสวน |
|
GN25L95-QFN-TR | Semtech | IC LASER DVR/LIMITING AMP 28QFN | การสอบสวน |
|
GN25L52-GRP6 | Semtech | IC AMP TIA 2.5GB OC-48 DIE RING | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่