GLF1608T220M พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ GLF1608T220M เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ GLF1608T220M ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ GLF1608T220M ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
GLF1608T220M
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- GLF1608T220M
- ผู้ผลิต:
- TDK Corporation
- ลักษณะ:
- FIXED IND 22UH 100MA 3 OHM SMD
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 39867 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- GLF1608T220M.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| ชนิด: | Wirewound |
| ความอดทน: | ±20% |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 0603 (1608 Metric) |
| ขนาด / มิติ: | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
| การป้องกัน: | Shielded |
| ชุด: | GLF |
| ความนิยม: | - |
| Q @ ความถี่: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Cut Tape (CT) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 0603 (1608 Metric) |
| ชื่ออื่น: | 445-3155-1 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 105°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| วัสดุ - คอร์: | Ferrite |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| การเหนี่ยวนำ: | 22µH |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.039" (1.00mm) |
| ความถี่ - พ้องในตัวเอง: | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 22µH Shielded Wirewound Inductor 100mA 3 Ohm 0603 (1608 Metric) |
| ทนทานกระแสไฟตรง (DCR): | 3 Ohm |
| พิกัดกระแส: | 100mA |
| ปัจจุบัน - อิ่มตัว: | 35mA |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ GLF1608T220M
ข่าว Latest
- Qorvo เปิดตัวระดับสูงที่ยอดเยี่ยมของอุตสาหกรรมระดับสูง 5G MMIMO Preliminaries
- วงจรการจำลองสินค้าคงคลังด้านล่าง AI จะขับเคลื่อนความต้องการหน่วยความจำแฟลชยังคงดำเนินต่อไป
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC