GB50SLT12-247 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ GB50SLT12-247 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ GB50SLT12-247 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ GB50SLT12-247 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
GB50SLT12-247
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- GB50SLT12-247
- ผู้ผลิต:
- GeneSiC Semiconductor
- ลักษณะ:
- DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247AC
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 36512 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- GB50SLT12-247.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด): | Silicon Carbide Schottky |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก: | 50A |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | TO-247AC |
| ชุด: | - |
| สถานะ RoHS: | Tube |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR): | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| ต้านทาน @ ถ้า F: | 2940pF @ 1V, 1MHz |
| โพลาไรซ์: | TO-247-2 |
| ชื่ออื่น: | 1242-1179 GB50SLT12247 |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction: | 0ns |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 18 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | GB50SLT12-247 |
| ขยายคำอธิบาย: | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 50A Through Hole TO-247AC |
| การกำหนดค่าไดโอด: | 1mA @ 1200V |
| ลักษณะ: | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247AC |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 1.8V @ 50A |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode): | 1200V (1.2kV) |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F: | -55°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ GB50SLT12-247
ข่าว Latest
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU