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GB50SLT12-247
- Modelo do Produto:
- GB50SLT12-247
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descrição:
- DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247AC
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 36512 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- GB50SLT12-247.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - Pico Reversa (Max): | Silicon Carbide Schottky |
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se: | 50A |
| Tensão - Breakdown: | TO-247AC |
| Série: | - |
| Status de RoHS: | Tube |
| Inversa de tempo de recuperação (trr): | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Resistência @ Se, F: | 2940pF @ 1V, 1MHz |
| Polarização: | TO-247-2 |
| Outros nomes: | 1242-1179 GB50SLT12247 |
| Temperatura de Operação - Junção: | 0ns |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 18 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | GB50SLT12-247 |
| Descrição expandida: | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 50A Through Hole TO-247AC |
| configuração de diodo: | 1mA @ 1200V |
| Descrição: | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247AC |
| Atual - dispersão reversa @ Vr: | 1.8V @ 50A |
| Atual - rectificada média (Io) (por Diode): | 1200V (1.2kV) |
| Capacitância @ Vr, F: | -55°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
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