G8QW-2C4-05 DC12 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ G8QW-2C4-05 DC12 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ G8QW-2C4-05 DC12 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ G8QW-2C4-05 DC12 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
G8QW-2C4-05 DC12
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- G8QW-2C4-05 DC12
- ผู้ผลิต:
- Omron
- ลักษณะ:
- RELAY AUTOMOTIVE SPDT 30A 12V
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 33460 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- G8QW-2C4-05 DC12.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| เปิดแรงดัน (สูงสุด): | 6.6 VDC |
| ปิดแรงดัน (ต่ำสุด): | 0.6 VDC |
| รูปแบบการสิ้นสุด: | PC Pin |
| แรงดันไฟฟ้าสลับ: | 16VDC - Max |
| ชุด: | G8QW |
| เวลาปล่อย: | 5ms |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| ชื่ออื่น: | G8QW-2C4-05DC12 G8QW2C405DC12 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C |
| เวลาทำงาน: | 10ms |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 12 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| คุณลักษณะเด่น: | Sealed - Fully |
| พิกัด (ปัจจุบัน): | 30A |
| วัสดุของ: | Silver Tin Oxide (AgSnO) |
| แบบฟอร์มการติดต่อ: | SPDT (1 Form C) x 2 |
| ขดลวดแรงดันไฟฟ้า: | 12VDC |
| ประเภทคอยล์: | Non Latching |
| ความต้านทานของคอยล์: | 210 Ohms |
| ขดลวดไฟฟ้า: | 685 mW |
| คอยล์ปัจจุบัน: | 57.0mA |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ G8QW-2C4-05 DC12
ข่าว Latest
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร