G8JN-1C6T-F-R-MM01 DC12 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ G8JN-1C6T-F-R-MM01 DC12 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ G8JN-1C6T-F-R-MM01 DC12 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ G8JN-1C6T-F-R-MM01 DC12 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
G8JN-1C6T-F-R-MM01 DC12
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- G8JN-1C6T-F-R-MM01 DC12
- ผู้ผลิต:
- Omron Automation & Safety
- ลักษณะ:
- RELAY MINI ISO AUTO
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 41126 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- G8JN-1C6T-F-R-MM01 DC12.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| เปิดแรงดัน (สูงสุด): | 8 VDC |
| ปิดแรงดัน (ต่ำสุด): | 1 VDC |
| รูปแบบการสิ้นสุด: | Plug In, Quick Connect - 0.250" (6.3mm) |
| แรงดันไฟฟ้าสลับ: | 16VDC - Max |
| ชุด: | G8JN |
| เวลาปล่อย: | 10ms |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| ชื่ออื่น: | G8JN-1C6T-F-R-MM01 DC12-ND G8JN-1C6T-F-R-MM01DC12 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 125°C |
| เวลาทำงาน: | 20ms |
| ประเภทการติดตั้ง: | Chassis Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| คุณลักษณะเด่น: | Resistor |
| พิกัด (ปัจจุบัน): | 35A |
| วัสดุของ: | Silver Tin Oxide (AgSnO) |
| แบบฟอร์มการติดต่อ: | SPDT (1 Form C) |
| ขดลวดแรงดันไฟฟ้า: | 12VDC |
| ประเภทคอยล์: | Non Latching |
| ความต้านทานของคอยล์: | 68 Ohms |
| ขดลวดไฟฟ้า: | 1.9 W |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ G8JN-1C6T-F-R-MM01 DC12
ข่าว Latest
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS