G6SU-2 DC9 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ G6SU-2 DC9 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ G6SU-2 DC9 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ G6SU-2 DC9 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
G6SU-2 DC9
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- G6SU-2 DC9
- ผู้ผลิต:
- Omron
- ลักษณะ:
- RELAY TELECOM DPDT 2A 250V
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 30980 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- G6SU-2 DC9.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| เปิดแรงดัน (สูงสุด): | 6.75 VDC |
| ปิดแรงดัน (ต่ำสุด): | - |
| รูปแบบการสิ้นสุด: | PC Pin |
| แรงดันไฟฟ้าสลับ: | 250VAC, 220VDC - Max |
| ชุด: | G6S |
| เวลาปล่อย: | 4ms |
| ประเภท Relay: | Telecom |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| ชื่ออื่น: | G6S 1126C G6SU-2 DC9 BY OMR G6SU-2DC9 G6SU29DC G6SU2DC9 G6SU2DC9BYOMR G6SU2DC9BYOMZ |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C |
| เวลาทำงาน: | 4ms |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 30 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| คุณลักษณะเด่น: | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Telecom Relay DPDT (2 Form C) Through Hole |
| พิกัด (ปัจจุบัน): | 2A |
| วัสดุของ: | Silver (Ag), Gold (Au) |
| แบบฟอร์มการติดต่อ: | DPDT (2 Form C) |
| ขดลวดแรงดันไฟฟ้า: | 9VDC |
| ประเภทคอยล์: | Latching, Single Coil |
| ความต้านทานของคอยล์: | 810 Ohms |
| ขดลวดไฟฟ้า: | 100 mW |
| คอยล์ปัจจุบัน: | 11.1mA |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ G6SU-2 DC9
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
G6SU-2F-TR DC4.5 | Omron | RELAY TELECOM DPDT 2A 250V | การสอบสวน |
|
G6SU-2F DC4.5 | Omron | RELAY TELECOM DPDT 2A 250V | การสอบสวน |
 |
G6SU-2 DC4.5 | Omron | RELAY TELECOM DPDT 2A 250V | การสอบสวน |
|
G6SU-2F-TR DC12 | Omron | RELAY TELECOM DPDT 2A 250V | การสอบสวน |
|
G6SU-2 DC24 | Omron | RELAY TELECOM DPDT 2A 250V | การสอบสวน |
|
G6SU-2 DC3 | Omron | RELAY TELECOM DPDT 2A 250V | การสอบสวน |
|
G6SU-2F DC24 | Omron | RELAY TELECOM DPDT 2A 250V | การสอบสวน |
|
G6SU-2F-TR DC3 | Omron | RELAY TELECOM DPDT 2A 250V | การสอบสวน |
|
G6SU-2 DC5 | Omron | RELAY TELECOM DPDT 2A 250V | การสอบสวน |
|
G6SU-2F DC12 | Omron | RELAY TELECOM DPDT 2A 250V | การสอบสวน |
 |
G6SK-2G-TR DC5 | Omron | RELAY TELECOM DPDT 2A 250V | การสอบสวน |
|
G6SU-2F DC5 | Omron | RELAY TELECOM DPDT 2A 250V | การสอบสวน |
|
G6SU-2 DC12 | Omron | RELAY TELECOM DPDT 2A 250V | การสอบสวน |
 |
G6SK2GH3TRDC3BYOMR | Omron | RELAY TELECOM DPDT 2A 250V | การสอบสวน |
|
G6SU-2-3DC5 | Omron | RELAY TELECOM DPDT 2A 250V | การสอบสวน |
|
G6SK2FHTRDC6 | Omron | RELAY TELECOM DPDT 2A 250V | การสอบสวน |
|
G6SU-2F DC3 | Omron | RELAY TELECOM DPDT 2A 250V | การสอบสวน |
 |
G6SK2FHDC6 | Omron | RELAY TELECOM DPDT 2A 250V | การสอบสวน |
|
G6SU-2 DC6 | Omron | RELAY TELECOM DPDT 2A 250V | การสอบสวน |
|
G6SU-2F-TR DC24 | Omron | RELAY TELECOM DPDT 2A 250V | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่