G6K-2F-RF-S DC9 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ G6K-2F-RF-S DC9 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ G6K-2F-RF-S DC9 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ G6K-2F-RF-S DC9 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
G6K-2F-RF-S DC9
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- G6K-2F-RF-S DC9
- ผู้ผลิต:
- Omron
- ลักษณะ:
- RELAY HI FREQ RF DPDT 9V SMT
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 37641 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- G6K-2F-RF-S DC9.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| เปิดแรงดัน (สูงสุด): | 7.2 VDC |
| ปิดแรงดัน (ต่ำสุด): | 0.9 VDC |
| รูปแบบการสิ้นสุด: | Gull Wing |
| แรงดันไฟฟ้าสลับ: | 125VAC, 60VDC - Max |
| ชุด: | G6K-RF |
| เวลาปล่อย: | 3ms |
| บรรจุภัณฑ์: | Tray |
| ชื่ออื่น: | G6K 1300B G6K-2F-RF-S-DC9 G6K2FRFS9DC G6K2FRFSDC9 Z2830 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 70°C |
| เวลาทำงาน: | 3ms |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 3 (168 Hours) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 11 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| คุณลักษณะเด่น: | - |
| พิกัด (ปัจจุบัน): | 1A |
| วัสดุของ: | Silver (Ag), Gold (Au) |
| แบบฟอร์มการติดต่อ: | DPDT (2 Form C) |
| ขดลวดแรงดันไฟฟ้า: | 9VDC |
| ประเภทคอยล์: | Non Latching |
| ความต้านทานของคอยล์: | 795 Ohms |
| ขดลวดไฟฟ้า: | 100 mW |
| คอยล์ปัจจุบัน: | 11.3mA |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ G6K-2F-RF-S DC9
ข่าว Latest
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น