FT51BQ-R พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ FT51BQ-R เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ FT51BQ-R ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ FT51BQ-R ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
FT51BQ-R
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- FT51BQ-R
- ลักษณะ:
- IC MCU 8BIT 16KB MTP 32QFN
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 52543 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- FT51BQ-R.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน (Vcc / Vdd): | Multi-Time Programmable (MTP) |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | 32-WQFN (6x6) |
| ชุด: | - |
| สถานะ RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR): | 48MHz |
| ต้องมี: | DMA, POR, PWM, WDT |
| ประเภทหน่วยความจำโปรแกรม: | 16KB (16K x 8) |
| ขนาดหน่วยความจำโปรแกรม: | I²C, SPI, UART/USART, USB |
| โพลาไรซ์: | 32-WFQFN Exposed Pad |
| ประเภท oscillator: | A/D 16x8b |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| ระบบปฏิบัติการ: | 8051 |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 12 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | FT51BQ-R |
| ขยายคำอธิบาย: | 8051 - Microcontroller IC 8-Bit 48MHz 16KB (16K x 8) Multi-Time Programmable (MTP) 32-WQFN (6x6) |
| ลักษณะ: | IC MCU 8BIT 16KB MTP 32QFN |
| ข้อมูล SRAM ไบต์: | - |
| แปลงข้อมูล: | 3 V ~ 5.5 V |
| ขนาดหลัก: | 24K x 8 |
| ชุดควบคุม: | Internal |
| การเชื่อมต่อ: | 8-Bit |
| อัตรานาฬิกา: | 16 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ FT51BQ-R
ข่าว Latest
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS