FSCQ1565RPSYDTU พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ FSCQ1565RPSYDTU เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ FSCQ1565RPSYDTU ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ FSCQ1565RPSYDTU ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
FSCQ1565RPSYDTU
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- FSCQ1565RPSYDTU
- ลักษณะ:
- IC SWIT PWM GREEN OVP HV TO3P
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 41380 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- FSCQ1565RPSYDTU.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน (Vcc / Vdd): | 9 V ~ 20 V |
| แรงดันไฟฟ้า - เริ่มต้นขึ้น: | 15V |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | 650V |
| โทโพโลยี: | Flyback |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TO-3PF-7L (Forming) |
| ชุด: | FSCQ |
| เพาเวอร์ (วัตต์): | 250W |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-3P-7 Fullpack, Formed Leads |
| แยกขาออก: | Isolated |
| ชื่ออื่น: | FSCQ1565RPSYDTU_NL FSCQ1565RPSYDTU_NL-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -25°C ~ 85°C (TA) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| สวิทช์ภายใน (s): | Yes |
| ความถี่ - การสลับ: | 20kHz |
| การป้องกันความผิดพลาด: | Current Limiting, Over Load, Over Temperature, Over Voltage |
| รอบหน้าที่: | 95% |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Converter Offline Flyback Topology 20kHz TO-3PF-7L (Forming) |
| คุณลักษณะการควบคุม: | Sync |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | FSCQ1565 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ FSCQ1565RPSYDTU
ข่าว Latest
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่