FF600R07ME4B11BOSA1 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ FF600R07ME4B11BOSA1 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ FF600R07ME4B11BOSA1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ FF600R07ME4B11BOSA1 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
FF600R07ME4B11BOSA1
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- FF600R07ME4B11BOSA1
- ลักษณะ:
- IGBT MODULE VCES 600V 600A
- ปริมาณสต็อค:
- 29996 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- FF600R07ME4B11BOSA1.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด): | 650V |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี: | 1.95V @ 15V, 600A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | Module |
| ชุด: | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 1800W |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | Module |
| ชื่ออื่น: | FF600R07ME4_B11 FF600R07ME4_B11-ND SP000725464 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 150°C |
| กทช Thermistor: | Yes |
| ประเภทการติดตั้ง: | Chassis Mount |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 14 Weeks |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE: | 37nF @ 25V |
| อินพุต: | Standard |
| ประเภท IGBT: | Trench Field Stop |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 650V 700A 1800W Chassis Mount Module |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด): | 1mA |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด): | 700A |
| องค์ประกอบ: | 2 Independent |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ FF600R07ME4B11BOSA1
ข่าว Latest
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร