FF300R07ME4B11BOSA1 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ FF300R07ME4B11BOSA1 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ FF300R07ME4B11BOSA1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ FF300R07ME4B11BOSA1 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
FF300R07ME4B11BOSA1
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- FF300R07ME4B11BOSA1
- ลักษณะ:
- IGBT MODULE VCES 600V 300A
- ปริมาณสต็อค:
- 45212 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- FF300R07ME4B11BOSA1.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด): | 650V |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี: | 1.95V @ 15V, 300A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | Module |
| ชุด: | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 1100W |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | Module |
| ชื่ออื่น: | FF300R07ME4_B11 FF300R07ME4_B11-ND SP000725486 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 150°C |
| กทช Thermistor: | Yes |
| ประเภทการติดตั้ง: | Chassis Mount |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 26 Weeks |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE: | 18.5nF @ 25V |
| อินพุต: | Standard |
| ประเภท IGBT: | Trench Field Stop |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 650V 390A 1100W Chassis Mount Module |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด): | 1mA |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด): | 390A |
| องค์ประกอบ: | 2 Independent |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ FF300R07ME4B11BOSA1
ข่าว Latest
- Qorvo เปิดตัวระดับสูงที่ยอดเยี่ยมของอุตสาหกรรมระดับสูง 5G MMIMO Preliminaries
- วงจรการจำลองสินค้าคงคลังด้านล่าง AI จะขับเคลื่อนความต้องการหน่วยความจำแฟลชยังคงดำเนินต่อไป
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC