FD800R33KF2CKNOSA1 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ FD800R33KF2CKNOSA1 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ FD800R33KF2CKNOSA1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ FD800R33KF2CKNOSA1 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
FD800R33KF2CKNOSA1
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- FD800R33KF2CKNOSA1
- ลักษณะ:
- IGBT MODULE VCES 1700V 800A
- ปริมาณสต็อค:
- 57099 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- FD800R33KF2CKNOSA1.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด): | 3300V |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี: | 4.25V @ 15V, 800A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | Module |
| ชุด: | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 9600W |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | Module |
| ชื่ออื่น: | FD800R33KF2C-K FD800R33KF2C-K-ND SP000100607 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 125°C |
| กทช Thermistor: | No |
| ประเภทการติดตั้ง: | Chassis Mount |
| การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE: | 100nF @ 25V |
| อินพุต: | Standard |
| ประเภท IGBT: | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | IGBT Module Single Chopper 3300V 9600W Chassis Mount Module |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด): | 5mA |
| องค์ประกอบ: | Single Chopper |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ FD800R33KF2CKNOSA1
ข่าว Latest
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง