FA-238V 14.31818MB-K พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ FA-238V 14.31818MB-K เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ FA-238V 14.31818MB-K ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ FA-238V 14.31818MB-K ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
FA-238V 14.31818MB-K
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- FA-238V 14.31818MB-K
- ผู้ผลิต:
- Epson
- ลักษณะ:
- CRYSTAL SMD
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 54796 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| ชนิด: | MHz Crystal |
| ขนาด / มิติ: | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
| ชุด: | FA-238V |
| ความนิยม: | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 4-SMD, No Lead |
| ชื่ออื่น: | FA-238V 14.31818MB-K-ND FA-238V14.31818MB-K |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | - |
| โหมดการทำงาน: | Fundamental |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 14 Weeks |
| ความจุโหลด: | 10pF |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.028" (0.70mm) |
| ความอดทนความถี่: | ±50ppm |
| ความเสถียรของความถี่: | - |
| ความถี่: | 14.31818MHz |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | 80 Ohms |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 14.31818MHz ±50ppm Crystal 10pF 80 Ohms 4-SMD, No Lead |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ FA-238V 14.31818MB-K
ข่าว Latest
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU