F339MX252231JKM2T0 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ F339MX252231JKM2T0 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ F339MX252231JKM2T0 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ F339MX252231JKM2T0 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
F339MX252231JKM2T0
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- F339MX252231JKM2T0
- ผู้ผลิต:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- ลักษณะ:
- CAP FILM 2.2UF 5% 630VDC RADIAL
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 37110 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| อัตราส่วนแรงดันไฟฟ้า - DC: | 630V |
| อัตราส่วนแรงดันไฟฟ้า - AC: | 310V |
| ความอดทน: | ±5% |
| การสิ้นสุด: | PC Pins |
| ขนาด / มิติ: | 1.220" L x 0.512" W (31.00mm x 13.00mm) |
| ชุด: | F339M |
| ความนิยม: | X2 |
| บรรจุภัณฑ์: | Tray |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | Radial |
| ชื่ออื่น: | 339MX252231JKM2T0 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 110°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 15 Weeks |
| เว้นพื้นที่ตัวนำ: | 1.083" (27.50mm) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.906" (23.00mm) |
| คุณลักษณะเด่น: | - |
| วัสดุอิเล็กทริก: | Polypropylene (PP), Metallized |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 2.2µF Film Capacitor 310V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial |
| ปริมาตร: | 2.2µF |
| การประยุกต์ใช้งาน: | EMI, RFI Suppression |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ F339MX252231JKM2T0
ข่าว Latest
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU