ERT-D3FGL501S พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ ERT-D3FGL501S เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ ERT-D3FGL501S ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ ERT-D3FGL501S ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
ERT-D3FGL501S
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- ERT-D3FGL501S
- ผู้ผลิต:
- Panasonic
- ลักษณะ:
- THERMISTOR NTC 500OHM 4000K DISC
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 32659 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- ERT-D3FGL501S.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| ชุด: | ERT-D |
| ความต้านทานต่อ Ohms ที่ 25 ° C: | 500 |
| ต้านทานความคลาดเคลื่อนยินยอม: | ±15% |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 600mW |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | Disc, 7.5mm |
| ชื่ออื่น: | ERTD3FGL501S PNT135 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -30°C ~ 60°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ความยาว - ลวดตะกั่ว: | 1.18" (30.00mm) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | NTC Thermistor 500 Disc, 7.5mm |
| B25 / 85: | - |
| B25 / 75: | - |
| B25 / 50: | 4000K |
| B25 / 100: | - |
| B0 / 50: | - |
| ความอดทน B คุ้มค่า: | - |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ ERT-D3FGL501S
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
ERT-D2FHL462S | Panasonic | THERM NTC 4.6KOHM 4100K DISC | การสอบสวน |
|
ERT-D3FHL203S | Panasonic | THERMISTOR NTC 20KOHM 4500K DISC | การสอบสวน |
|
ERT-D3FHL402S | Panasonic | THERMISTOR NTC 4KOHM 4100K DISC | การสอบสวน |
 |
ERT-J0EA220J | Panasonic | THERMISTOR NTC 22OHM 2750K 0402 | การสอบสวน |
|
ERT-D3FGL750S | Panasonic | THERMISTOR NTC 75OHM 3700K DISC | การสอบสวน |
|
ERT-D3FFL130S | Panasonic | THERMISTOR NTC 13OHM 3200K DISC | การสอบสวน |
|
ERT-D2FHL802S | Panasonic | THERM NTC 8KOHM 4100K DISC 5MM | การสอบสวน |
|
ERT-D3FFL160S | Panasonic | THERMISTOR NTC 16OHM 3200K DISC | การสอบสวน |
|
ERT-D3FGL131S | Panasonic | THERMISTOR NTC 130OHM 3700K DISC | การสอบสวน |
|
ERT-J0EA101J | Panasonic | THERMISTOR NTC 100OHM 2800K 0402 | การสอบสวน |
|
ERT-J0EA330J | Panasonic | THERMISTOR NTC 33OHM 2750K 0402 | การสอบสวน |
|
ERT-D3FFL400S | Panasonic | THERMISTOR NTC 40OHM 3200K DISC | การสอบสวน |
|
ERT-J0EA151J | Panasonic | THERMISTOR NTC 150OHM 2800K 0402 | การสอบสวน |
|
ERT-D3FIL803S | Panasonic | THERMISTOR NTC 80KOHM 5000K DISC | การสอบสวน |
|
ERT-D2FHL503S | Panasonic | THERMISTOR NTC 50KOHM 4500K DISC | การสอบสวน |
|
ERT-D3FGL800S | Panasonic | THERMISTOR NTC 80OHM 3700K DISC | การสอบสวน |
|
ERT-D3FFL300S | Panasonic | THERMISTOR NTC 30OHM 3200K DISC | การสอบสวน |
|
ERT-J0EA400J | Panasonic | THERMISTOR NTC 40OHM 2750K 0402 | การสอบสวน |
|
ERT-D3FFL200S | Panasonic | THERMISTOR NTC 20OHM 3200K DISC | การสอบสวน |
|
ERT-D3FEL8R0S | Panasonic | THERMISTOR NTC 8OHM 3000K DISC | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด