ERJ-MP4MF10MU พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ ERJ-MP4MF10MU เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ ERJ-MP4MF10MU ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ ERJ-MP4MF10MU ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
ERJ-MP4MF10MU
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- ERJ-MP4MF10MU
- ผู้ผลิต:
- Panasonic
- ลักษณะ:
- RES SMD 0.01 OHM 1% 1W 2512
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 41825 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| อัตราส่วนแรงดันไฟฟ้า - AC: | - |
| แรงดันไฟฟ้า - การทำงาน: | 1W |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | 2512 |
| ความหนา (สูงสุด): | ±75ppm/°C |
| ขนาด / มิติ: | 0.252" L x 0.126" W (6.40mm x 3.20mm) |
| ชุด: | ERJ |
| สถานะ RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| โพลาไรซ์: | 2512 (6432 Metric) |
| ชื่ออื่น: | ERJMP4MF10MU P19388TR |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -65°C ~ 170°C |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | ERJ-MP4MF10MU |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.045" (1.15mm) |
| คุณลักษณะเด่น: | Automotive AEC-Q200, Current Sense, Moisture Resistant |
| FIFO ของ: | 2 |
| ขยายคำอธิบาย: | 0.01 Ohm ±1% 1W Chip Resistor 2512 (6432 Metric) Automotive AEC-Q200, Current Sense, Moisture Resistant Metal Element |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | ±1% |
| ลักษณะ: | RES SMD 0.01 OHM 1% 1W 2512 |
| เคลือบประเภทที่อยู่อาศัย: | Metal Element |
| แบนด์วิดธ์: | 0.01 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ ERJ-MP4MF10MU
ข่าว Latest
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น