ERJ-1GNJ115C พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ ERJ-1GNJ115C เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ ERJ-1GNJ115C ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ ERJ-1GNJ115C ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
ERJ-1GNJ115C
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- ERJ-1GNJ115C
- ผู้ผลิต:
- Panasonic
- ลักษณะ:
- RES SMD 1.1M OHM 5% 1/20W 0201
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 35565 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| อัตราส่วนแรงดันไฟฟ้า - AC: | - |
| แรงดันไฟฟ้า - การทำงาน: | 0.05W, 1/20W |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | 0201 |
| ความหนา (สูงสุด): | -400/ +150ppm/°C |
| ขนาด / มิติ: | 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm) |
| ชุด: | ERJ |
| สถานะ RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| โพลาไรซ์: | 0201 (0603 Metric) |
| ชื่ออื่น: | ERJ1GNJ115C |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 125°C |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 18 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | ERJ-1GNJ115C |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.010" (0.26mm) |
| คุณลักษณะเด่น: | Automotive AEC-Q200 |
| FIFO ของ: | 2 |
| ขยายคำอธิบาย: | 1.1M Ohm ±5% 0.05W, 1/20W Chip Resistor 0201 (0603 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | ±5% |
| ลักษณะ: | RES SMD 1.1M OHM 5% 1/20W 0201 |
| เคลือบประเภทที่อยู่อาศัย: | Thick Film |
| แบนด์วิดธ์: | 1.1M |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ ERJ-1GNJ115C
ข่าว Latest
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS