ERA-6YEB331V พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ ERA-6YEB331V เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ ERA-6YEB331V ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ ERA-6YEB331V ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
ERA-6YEB331V
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- ERA-6YEB331V
- ผู้ผลิต:
- Panasonic
- ลักษณะ:
- RES SMD 330 OHM 0.1% 1/8W 0805
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 42963 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- 1.ERA-6YEB331V.pdf2.ERA-6YEB331V.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| อัตราส่วนแรงดันไฟฟ้า - AC: | - |
| แรงดันไฟฟ้า - การทำงาน: | 0.125W, 1/8W |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | 0805 |
| ความหนา (สูงสุด): | ±25ppm/°C |
| ขนาด / มิติ: | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
| ชุด: | ERA-6Y |
| สถานะ RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| โพลาไรซ์: | 0805 (2012 Metric) |
| ชื่ออื่น: | ERA6YEB331V P330ZTR |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 125°C |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | ERA-6YEB331V |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.024" (0.60mm) |
| คุณลักษณะเด่น: | - |
| FIFO ของ: | 2 |
| ขยายคำอธิบาย: | 330 Ohm ±0.1% 0.125W, 1/8W Chip Resistor 0805 (2012 Metric) Thin Film |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | ±0.1% |
| ลักษณะ: | RES SMD 330 OHM 0.1% 1/8W 0805 |
| เคลือบประเภทที่อยู่อาศัย: | Thin Film |
| แบนด์วิดธ์: | 330 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ ERA-6YEB331V
ข่าว Latest
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS