EMI0603R-220 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ EMI0603R-220 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ EMI0603R-220 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ EMI0603R-220 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
EMI0603R-220
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- EMI0603R-220
- ผู้ผลิต:
- API Delevan
- ลักษณะ:
- FERRITE BEAD 220 OHM 0603 1LN
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 54638 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- EMI0603R-220.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| ขนาด / มิติ: | 0.063" L x 0.032" W (1.60mm x 0.80mm) |
| ชุด: | EMI0603R |
| ความนิยม: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 0603 (1608 Metric) |
| ชื่ออื่น: | EMI0603R-220 4000 TR |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 125°C |
| จำนวนสาย: | 1 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 11 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ความต้านทาน @ ความถี่: | 220 Ohms @ 100MHz |
| ความสูง (สูงสุด): | 0.037" (0.95mm) |
| ประเภทตัวกรอง: | - |
| ความต้านทานกระแสไฟตรง (DCR) (สูงสุด): | 300 mOhm |
| บัตรหนา (mm): | 300mA |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ EMI0603R-220
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
EMI0805R-220 | API Delevan | FERRITE BEAD 220 OHM 0805 1LN | การสอบสวน |
|
EMI0805R-11 | API Delevan | FERRITE BEAD 11 OHM 0805 1LN | การสอบสวน |
|
EMI-0805-120 | API Delevan | FERRITE BEAD 120 OHM 0805 1LN | การสอบสวน |
|
EMI0603R-450 | API Delevan | FERRITE BEAD 450 OHM 0603 1LN | การสอบสวน |
|
EMI0603R-1000 | API Delevan | FERRITE BEAD 1 KOHM 0603 1LN | การสอบสวน |
|
EMI0603R-120 | API Delevan | FERRITE BEAD 120 OHM 0603 1LN | การสอบสวน |
|
EMI0805R-1000 | API Delevan | FERRITE BEAD 1 KOHM 0805 1LN | การสอบสวน |
|
EMI0805R-150 | API Delevan | FERRITE BEAD 150 OHM 0805 1LN | การสอบสวน |
|
EMI0603R-750 | API Delevan | FERRITE BEAD 750 OHM 0603 1LN | การสอบสวน |
|
EMI0805R-120 | API Delevan | FERRITE BEAD 120 OHM 0805 1LN | การสอบสวน |
|
EMI0805R-300 | API Delevan | FERRITE BEAD 300 OHM 0805 1LN | การสอบสวน |
|
EMI0603R-80 | API Delevan | FERRITE BEAD 80 OHM 0603 1LN | การสอบสวน |
|
EMI0805R-2000 | API Delevan | FERRITE BEAD 2 KOHM 0805 1LN | การสอบสวน |
|
EMI0603R-300 | API Delevan | FERRITE BEAD 300 OHM 0603 1LN | การสอบสวน |
|
EMI-1206-120 | API Delevan | FERRITE BEAD 120 OHM 1206 1LN | การสอบสวน |
|
EMI0603R-68 | API Delevan | FERRITE BEAD 68 OHM 0603 1LN | การสอบสวน |
|
EMI0603R-60 | API Delevan | FERRITE BEAD 60 OHM 0603 1LN | การสอบสวน |
|
EMI0603R-600 | API Delevan | FERRITE BEAD 600 OHM 0603 1LN | การสอบสวน |
|
EMI-1812-125 | API Delevan | FERRITE BEAD 120 OHM 1812 1LN | การสอบสวน |
|
EMI0805R-1500 | API Delevan | FERRITE BEAD 1.5 KOHM 0805 1LN | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย