EL5156ISZ พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ EL5156ISZ เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ EL5156ISZ ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ EL5156ISZ ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
EL5156ISZ
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- EL5156ISZ
- ผู้ผลิต:
- Intersil
- ลักษณะ:
- IC OPAMP VFB 210MHZ 8SOIC
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 46148 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- EL5156ISZ.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - จ่าย, เดี่ยว / คู่ (±): | 4.5 V ~ 12 V, ±2.25 V ~ 6 V |
| แรงดันไฟฟ้าอินพุต - ออฟเซ็ท: | 500µV |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 8-SOIC |
| อัตราสลูว์: | 700 V/µs |
| ชุด: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ประเภทขาออก: | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C |
| จำนวนแผงวงจร: | 1 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 3 (168 Hours) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| กำไร Bandwidth สินค้า: | 210MHz |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Voltage Feedback Amplifier 1 Circuit 8-SOIC |
| ปัจจุบัน - อุปทาน: | 6mA |
| ปัจจุบัน - อคติการป้อนข้อมูล: | 400nA |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | EL5156 |
| ประเภทเครื่องขยาย: | Voltage Feedback |
| -3dB แบนด์วิดธ์: | 600MHz |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ EL5156ISZ
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
EL5160IS-T7 | Intersil | IC OPAMP CFA 200MHZ 8SOIC | การสอบสวน |
 |
EL5153IWZ-T7 | Intersil | IC OPAMP VFB 165MHZ SOT23-5 | การสอบสวน |
|
EL5152ISZ-T13 | Intersil | IC OPAMP VFB 165MHZ 8SOIC | การสอบสวน |
|
EL5156ISZ-T13 | Intersil | IC OPAMP VFB 210MHZ 8SOIC | การสอบสวน |
|
EL5152ISZ-T7 | Intersil | IC OPAMP VFB 165MHZ 8SOIC | การสอบสวน |
|
EL5157IW-T7A | Intersil | IC OPAMP VFB 210MHZ SOT23-5 | การสอบสวน |
|
EL5160IS | Intersil | IC OPAMP CFA 200MHZ 8SOIC | การสอบสวน |
|
EL5153IW-T7 | Intersil | IC OPAMP VFB 165MHZ SOT23-5 | การสอบสวน |
|
EL5160IS-T13 | Intersil | IC OPAMP CFA 200MHZ 8SOIC | การสอบสวน |
|
EL5157IW-T7 | Intersil | IC OPAMP VFB 210MHZ SOT23-5 | การสอบสวน |
|
EL5152ISZ | Intersil | IC OPAMP VFB 165MHZ 8SOIC | การสอบสวน |
|
EL5157IWZ-T7 | Intersil | IC OPAMP VFB 210MHZ SOT23-5 | การสอบสวน |
|
EL5156IS | Intersil | IC OPAMP VFB 210MHZ 8SOIC | การสอบสวน |
|
EL5153IWZ-T7A | Intersil | IC OPAMP VFB 165MHZ SOT23-5 | การสอบสวน |
|
EL5160ISZ | Intersil | IC OPAMP CFA 200MHZ 8SOIC | การสอบสวน |
|
EL5153IW-T7A | Intersil | IC OPAMP VFB 165MHZ SOT23-5 | การสอบสวน |
|
EL5156IS-T7 | Intersil | IC OPAMP VFB 210MHZ 8SOIC | การสอบสวน |
|
EL5157IWZ-T7A | Intersil | IC OPAMP VFB 210MHZ SOT23-5 | การสอบสวน |
|
EL5156ISZ-T7 | Intersil | IC OPAMP VFB 210MHZ 8SOIC | การสอบสวน |
|
EL5156IS-T13 | Intersil | IC OPAMP VFB 210MHZ 8SOIC | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย