EKMR451VSN681MA50S พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ EKMR451VSN681MA50S เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ EKMR451VSN681MA50S ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ EKMR451VSN681MA50S ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
EKMR451VSN681MA50S
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- EKMR451VSN681MA50S
- ผู้ผลิต:
- Nippon Chemi-Con
- ลักษณะ:
- CAP ALUM 680UF 20% 450V SNAP
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 52596 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- EKMR451VSN681MA50S.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| ความอดทน: | 680µF |
| พื้นผิวขนาดที่ดินภูเขา: | 0.394" (10.00mm) |
| ขนาด / มิติ: | 1.378" Dia (35.00mm) |
| ชุด: | KMR |
| สถานะ RoHS: | Bulk |
| Ripple Current - ความถี่ต่ำ: | General Purpose |
| ระลอกปัจจุบัน: | Polar |
| โพลาไรซ์: | Radial, Can - Snap-In |
| ทางลาด - เชื่อมต่อ: | 450V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | - |
| ชื่ออื่น: | 565-3459 EKMR451VSN681MA50S-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -25°C ~ 105°C |
| จำนวนตัวเก็บประจุ: | 2.36A @ 120Hz |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 15 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | EKMR451VSN681MA50S |
| อายุการใช้งาน @ ชั่วคราว: | - |
| ความต้านทาน: | - |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 2.067" (52.50mm) |
| ขยายคำอธิบาย: | 680µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 2000 Hrs @ 105°C |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | ±20% |
| ลักษณะ: | CAP ALUM 680UF 20% 450V SNAP |
| การประยุกต์ใช้งาน: | 2000 Hrs @ 105°C |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ EKMR451VSN681MA50S
ข่าว Latest
- แขนปรากฏใน Computex 2024: คาดว่าจะใช้อุปกรณ์ ARM มากกว่า 100 พันล้านเครื่องสำหรับ AI ภายในสิ้นปี 2568
- Qorvo เปิดตัวระดับสูงที่ยอดเยี่ยมของอุตสาหกรรมระดับสูง 5G MMIMO Preliminaries
- วงจรการจำลองสินค้าคงคลังด้านล่าง AI จะขับเคลื่อนความต้องการหน่วยความจำแฟลชยังคงดำเนินต่อไป
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด