EKMM351VSN471MQ60W พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ EKMM351VSN471MQ60W เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ EKMM351VSN471MQ60W ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ EKMM351VSN471MQ60W ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
EKMM351VSN471MQ60W
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- EKMM351VSN471MQ60W
- ผู้ผลิต:
- Nippon Chemi-Con
- ลักษณะ:
- CAP ALUM 470UF 20% 350V SNAP
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 30150 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- EKMM351VSN471MQ60W.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม: | 350V |
| ความอดทน: | ±20% |
| พื้นผิวขนาดที่ดินภูเขา: | - |
| ขนาด / มิติ: | 1.000" Dia (25.40mm) |
| ชุด: | KMM |
| คลื่นกระแสไฟตก @ ความถี่ต่ำ: | 1.66A @ 120Hz |
| กระแส Ripple @ ความถี่สูง: | 2.3738A @ 50kHz |
| ความนิยม: | - |
| โพลาไรซ์: | Polar |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | Radial, Can - Snap-In |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -25°C ~ 105°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 16 Weeks |
| อายุการใช้งาน @ ชั่วคราว: | 3000 Hrs @ 105°C |
| เว้นพื้นที่ตัวนำ: | 0.394" (10.00mm) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 2.441" (62.00mm) |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | 529 mOhm @ 120Hz |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 470µF 350V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can - Snap-In 529 mOhm @ 120Hz 3000 Hrs @ 105°C |
| ปริมาตร: | 470µF |
| การประยุกต์ใช้งาน: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ EKMM351VSN471MQ60W
ข่าว Latest
- แขนปรากฏใน Computex 2024: คาดว่าจะใช้อุปกรณ์ ARM มากกว่า 100 พันล้านเครื่องสำหรับ AI ภายในสิ้นปี 2568
- Qorvo เปิดตัวระดับสูงที่ยอดเยี่ยมของอุตสาหกรรมระดับสูง 5G MMIMO Preliminaries
- วงจรการจำลองสินค้าคงคลังด้านล่าง AI จะขับเคลื่อนความต้องการหน่วยความจำแฟลชยังคงดำเนินต่อไป
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด