E2E-S05S12-MC-C1 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ E2E-S05S12-MC-C1 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ E2E-S05S12-MC-C1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ E2E-S05S12-MC-C1 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
E2E-S05S12-MC-C1
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- E2E-S05S12-MC-C1
- ผู้ผลิต:
- Omron Automation & Safety
- ลักษณะ:
- M5 1.2MM M8 3P NPN NO
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 47231 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- E2E-S05S12-MC-C1.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 10 V ~ 30 V |
| รูปแบบการสิ้นสุด: | Connector |
| การป้องกัน: | Shielded |
| ชุด: | E2E |
| ประเภทเซนเซอร์: | Inductive |
| ระยะทางที่ไกล: | 0.047" (1.2mm) |
| การตอบสนองความถี่: | 4kHz |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | Cylinder, Threaded - M5 |
| ประเภทขาออก: | NPN-NO, 3-Wire |
| ชื่ออื่น: | E2E-S05S12-MC-C1-ND E2ES05S12MCC1 Z9174 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -25°C ~ 70°C |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| วัสดุ - ร่างกาย: | Stainless Steel |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 2 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| ป้องกันน้ำและฝุ่น: | IP67 |
| ตัวบ่งชี้: | LED |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Inductive Proximity Sensor 0.047" (1.2mm) IP67 Cylinder, Threaded - M5 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ E2E-S05S12-MC-C1
ข่าว Latest
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น