E-ULQ2003D1 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ E-ULQ2003D1 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ E-ULQ2003D1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ E-ULQ2003D1 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
E-ULQ2003D1
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- E-ULQ2003D1
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
- ลักษณะ:
- TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 48196 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- E-ULQ2003D1.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด): | 50V |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic: | 1.6V @ 500µA, 350mA |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | 7 NPN Darlington |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 16-SO |
| ชุด: | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ชื่ออื่น: | 497-4610-5 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ความถี่ - การเปลี่ยน: | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Surface Mount 16-SO |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE: | 1000 @ 350mA, 2V |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด): | - |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด): | 500mA |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | ULQ2003 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ E-ULQ2003D1
ข่าว Latest
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร